Navitas半导体公司表明，戴尔初次运用其GaNFast氮化镓（GaN）技能的功率IC。
Navitas成立于2014年，推出了据称是首款商用GaN功率IC。该公司表明，其专有的“AllGaN”工艺规划套件（PDK）将GaN功率场效应晶体管（FET）与GaN模仿和逻辑电路单片集成，从而为移动，消费类，企业级，电动汽车和新能源商场使用供给了更快的充电速度，更高的功率密度和更多的能耗节约。
戴尔USB-C增强型电源适配器PA901是一款双输出快速充电器，可经过USB-C电缆供给90W功率，可为笔记本电脑进行大功率充电；别的，经过USB-A还可供给10W功率，可一起为智能手机充电。该适配器选用Dell Express Charge技能，在短短15分钟内将电源快速提高35％，并将在一小时内为Dell Latitude充到80％电量。
Navitas表明，GaNFast电源IC集成了具有驱动，操控和维护功用的GaN FET，与根据硅的解决方案比较，其功率密度为本来的三倍。有必要留意一下的是，在已交给的超越900万颗GaNFast电源IC中，毛病数量为零。
Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表明，GaNFast技能可完成小尺度，简便和散热等愿景，这关于移动快充至关重要。他弥补说：“戴尔选用快充的GaN对旧的，前进缓慢的硅技能是一次冲击。Navitas的规划，使用程序和质量团队与Dell进行了一系列严厉的技能，功能和可靠性检查，以确保安全、成功地发动适配器。”
Dell适配器中运用了两种NV6117 GaNFast电源IC：一种用于临界传导形式（CrCM）升压功率因数校对电路（PFC），另一种用于DC-DC准谐振（QR）反激。该适配器是由Chicony Power Technology为Dell规划和制作的，并得到当地Navitas使用工程的支撑。
关键字：引证地址：戴尔选用Navitas的GaNFast IC作为笔记本适配器快充
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